APTGF100A120T3AG
nhà sản xuất:
Tập đoàn Microsemi
Mô tả:
MODULE IGBT 1200V 130A 780W SP3
Nhóm:
chất bán dẫn
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Bóng bán dẫn IGBT Mô-đun IGBT
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
130 A
Tình trạng sản phẩm:
Bị lỗi thời
Loại lắp đặt:
khung gầm
Gói:
Nhập xách
Dòng:
-
Bao bì / Vỏ:
SP3
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 100A
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
1200 V
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
SP3
Mfr:
Tập đoàn Microsemi
Nhiệt độ hoạt động:
-
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
250 μA
Loại IGBT:
NPT
Sức mạnh tối đa:
780 W
Nhập:
Tiêu chuẩn
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce:
6,5 nF @ 25 V
Cấu hình:
Cầu nửa chừng
Nhiệt điện trở NTC:
Vâng.
Lời giới thiệu
IGBT mô-đun NPT Half Bridge 1200 V 130 A 780 W Chassis Mount SP3
Sản phẩm liên quan
| Hình ảnh | Phần # | Mô tả | |
|---|---|---|---|
|
|
APTGF180DH60G |
IGBT MODULE 600V 220A 833W SP6
|
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: