Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Bóng bán dẫn Mảng bóng bán dẫn lưỡng cực lưỡng cực (BJT), tiền phân cực
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
100mA
Tình trạng sản phẩm:
Không dành cho thiết kế mới
Loại bóng bán dẫn:
2 NPN - Phân cực trước (Kép)
Tần suất - Chuyển tiếp:
-
Loại lắp đặt:
Mặt đất
Gói:
Dây băng và cuộn (TR)
Dây cắt (CT)
Digi-Reel®
Dòng:
-
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic:
150mV @ 500µA, 10mA
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
50V
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
SOT-666
Điện trở - Đế (R1):
47kOhm
Mfr:
Nexeria Hoa Kỳ Inc.
Điện trở - Cơ sở phát (R2):
-
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
1µA
Sức mạnh tối đa:
300MW
Bao bì / Vỏ:
SOT-563, SOT-666
Mức tăng dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce:
100 @ 1mA, 5V
Số sản phẩm cơ bản:
PEMH14
Lời giới thiệu
Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Bipolar (Dual) 50V 100mA 300mW
Sản phẩm liên quan

PUMD48,115

NHUMD9X

PBLS4003D,115

PQMH13Z

PUMD10,115

PUMD12/DG/B4X

PUMD17,115

PUMD15,115

NHUMH1X

PEMB10,115

PUMH1/DG/B3,115

NHUMB9F

PEMD4,115

NHUMB11F

PUMH2/DG/B3,115

PUMH13,115

PUMH9,125
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: