BFP840ESDH6327XTSA1
nhà sản xuất:
Công nghệ Infineon
Mô tả:
IC TRANSISTOR RF NPN SOT343-4
Nhóm:
chất bán dẫn
Thông số kỹ thuật
Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)::
2,25V
Danh mục sản phẩm ::
Transistor lưỡng cực RF
Nhận được ::
18,5dB
Chứng khoán nhà máy::
0
Loại bóng bán dẫn::
NPN
Số lượng tối thiểu::
3000
Gói thiết bị của nhà cung cấp::
SOT-343
Hệ số tiếng ồn (dB Typ @ f)::
0,85dB @ 5,5GHz
Tình trạng một phần::
Hoạt động
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)::
35mA
Sức mạnh tối đa ::
75mW
Bao bì::
Băng & Cuộn (TR)
@ số lượng::
0
Tần số - Chuyển tiếp::
80GHz
Mức tăng dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce ::
150 @ 10mA, 1.8V
Nhiệt độ hoạt động ::
150°C (TJ)
Gói / Trường hợp::
SC-82A, SOT-343
Kiểu lắp ::
Mặt đất
Loạt ::
-
Nhà chế tạo ::
Công nghệ Infineon
Lời giới thiệu
BFP840ESDH6327XTSA1, từ công nghệ Infineon, là RF Bipolar Transistors. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu,được trong nguyên bản và các bộ phận mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: