IXGH40N120B2D1

nhà sản xuất:
IXYS
Mô tả:
Transistor IGBT IGBT, Diode 1200V, 75A
Nhóm:
chất bán dẫn
Thông số kỹ thuật
Dòng điện rò rỉ cổng-Emitter::
100 nA
Danh mục sản phẩm ::
Bóng bán dẫn IGBT
Phong cách lắp đặt::
Qua lỗ
Dòng thu liên tục ở 25 C::
75 A
Pd - Tản điện ::
380W
Điện áp Collector-Emitter VCEO Max ::
1,2kV
Gói / Trường hợp::
TO-247-3
Nhiệt độ hoạt động tối đa::
+ 150C
Điện áp bộ phát cổng tối đa::
+/- 20V
Bao bì::
Bơm
Cấu hình ::
Đơn vị
Điện áp bão hòa của bộ thu-phát ::
2,9 v
Nhà chế tạo ::
IXYS
Lời giới thiệu
IXGH40N120B2D1, từ IXYS, là IGBT Transistors. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu,được trong nguyên bản và các bộ phận mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: