IPD50R950CEBTMA1
nhà sản xuất:
Công nghệ Infineon
Mô tả:
MOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 CoolMOS CE
Nhóm:
chất bán dẫn
Thông số kỹ thuật
Phân cực của Transistor::
kênh N
Công nghệ ::
sĩ
Id - Dòng xả liên tục::
6.6 MỘT
Phong cách lắp đặt::
SMD/SMT
Tên thương mại ::
CoolMOS
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu::
- 55 độ C
Gói / Trường hợp::
TO-252-3
Nhiệt độ hoạt động tối đa::
+ 150C
Chế độ kênh::
Sự nâng cao
Vds - Điện áp đánh thủng nguồn-cống::
500 V
Bao bì::
cuộn
VSS th - Điện áp ngưỡng nguồn cổng::
2,5V
Danh mục sản phẩm ::
MOSFET
Rds On - Điện trở nguồn thoát nước::
860 mOhm
Số kênh ::
1 kênh
VSS - Điện áp nguồn cổng::
20 V
Qg - Phí cổng::
10.5 nC
Nhà chế tạo ::
Công nghệ Infineon
Lời giới thiệu
IPD50R950CEBTMA1, từ Infineon Technologies, là MOSFET. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu,được trong nguyên bản và các bộ phận mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: