Thông số kỹ thuật
Phân cực của Transistor::
Kênh P
Công nghệ ::
sĩ
Id - Dòng xả liên tục::
- 5,5 A
Phong cách lắp đặt::
SMD/SMT
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu::
- 55 độ C
Gói / Trường hợp::
SO-8
Nhiệt độ hoạt động tối đa::
+ 150C
Chế độ kênh::
Sự nâng cao
Vds - Điện áp đánh thủng nguồn-cống::
- 30V
Bao bì::
cuộn
Danh mục sản phẩm ::
MOSFET
Số kênh ::
2 kênh
VSS - Điện áp nguồn cổng::
20 V
Rds On - Điện trở nguồn thoát nước::
45 mOhms
Nhà chế tạo ::
Diode kết hợp
Lời giới thiệu
ZXMP3A16DN8TA, từ Diodes Incorporated, là MOSFET. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu, trong đó có các bộ phận gốc và mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Sản phẩm liên quan

BSS127S-7
MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23

DMT6009LFG-7
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Low Rdson

DMP6023LSS-13
MOSFET P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF

DMN61D8LVT-13
MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA

DMC1229UFDB-13
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

DMN1019UFDE-7
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

DMNH4015SSD-13
MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO

DMN2400UFDQ-7
MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Gate 1.0V
Hình ảnh | Phần # | Mô tả | |
---|---|---|---|
![]() |
BSS127S-7 |
MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23
|
|
![]() |
DMT6009LFG-7 |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Low Rdson
|
|
![]() |
DMP6023LSS-13 |
MOSFET P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
|
|
![]() |
DMN61D8LVT-13 |
MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
|
|
![]() |
DMC1229UFDB-13 |
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
|
|
![]() |
DMN1019UFDE-7 |
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
|
|
![]() |
DMNH4015SSD-13 |
MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO
|
|
![]() |
DMN2400UFDQ-7 |
MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Gate 1.0V
|
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: