IRF7464TRPBF
nhà sản xuất:
Công nghệ Infineon
Mô tả:
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
Nhóm:
chất bán dẫn
Thông số kỹ thuật
Danh mục sản phẩm ::
MOSFET
VSS (Tối đa)::
±30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C::
1,2A (Ta)
@ số lượng::
0
Loại FET::
kênh N
Kiểu lắp ::
Mặt đất
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs ::
14nC @ 10V
Nhà chế tạo ::
Công nghệ Infineon
Số lượng tối thiểu::
4000
Điện áp ổ đĩa (Bật đường tối đa, bật đường tối thiểu)::
10V
Chứng khoán nhà máy::
0
Nhiệt độ hoạt động ::
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tính năng FET::
-
Loạt ::
HEXFET®
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds ::
280pF @ 25V
Gói thiết bị của nhà cung cấp::
8-SO
Tình trạng một phần::
Bị lỗi thời
Bao bì::
Băng & Cuộn (TR)
Số lần bật (Tối đa) @ Id, Vgs ::
730 mOhm @ 720mA, 10V
Tản điện (Tối đa)::
2.5W (Tạ)
Gói / Trường hợp::
8-SOIC (0.154", Chiều rộng 3.90mm)
Công nghệ ::
MOSFET (Ôxít kim loại)
VSS(th) (Tối đa) @ Id ::
5,5V @ 250µA
Xả điện áp nguồn (Vdss)::
200V
Lời giới thiệu
IRF7464TRPBF,từ Infineon Technologies,là MOSFET. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu,được trong nguyên bản và các bộ phận mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: